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中贵金属工业开发了一种钌材料,其深度可提高到原来的六倍

作者:幸运时时彩 发布时间:2019-09-02 09:38

  东京星岛2012年1月19日-、亚太商业新闻-田中贵金属工业有限公司;(Pay)(Pay))):东京千代田园执行董事:冈本英美(GambenEn与九州大学国立大学工程学院应用化学、部门的肖江成教授一起成功开发。电容!电极可用于半导体记忆体D!RAM(动态,随机贮存记忆体),深度可达6倍。MOCVD(有机金属化学气相沉积法)的目标是在2012年完成产品化。

  钌体材料用于电路线宽小于20nm(Nami)、10亿mi,)、下一代DRAM的MOCVD膜材;料(前驱)。可形成40×1的高深宽比(细孔深&#;度和开口直径比)。这样,电容电极的深度就可以达到六倍。半导体制造商预计将在2012年生!产20nm至29nm的下一代半导体,通、过使用钌驱动器。,它可以产生一个微!小的,电容电极,因为20纳米的一代。

  由于半导体记忆体&#;的,大容量半导体制造商预计将,使用存、储单元对电容电极进行深度蚀刻,以响应下一代、DRAM的微小化。在三维电极生产中,;有机会使用MO;CVD生产.。然而,在过去,电极薄膜的长度和宽度比仅为6-1,因此不可能产生20纳米的高深宽比电容电极。这是一个技术问题。

  Mocvd、的成膜原料比普通金属更容易蒸发、。田&#;中贵金属工业;是世界上第一个成功开发的钌驱动物,是一种有机化合物(环辛四烯)和金属元素(钌),合成的有机金属错合物。由于蒸汽压力高(成膜时容易蒸发),所以金属的特性可以很容易地沉淀在具有40-1深宽比的细孔中。钌,膜覆盖率为70%,覆盖率为165℃。钌,前驱的主要优点如下。

  成功开、发的钌驱动材料可以充分供应到基板,因为它们容易挥发,因为它们的压力很高。在!此情况下,细、孔的前&#;端也可以均匀地薄膜,这种特性具有重要的特性。

  由于加、热可以很容易地沉;淀金属,所以可以在165℃的低温下塑造薄膜。这样,底材基板的损坏就,可以减少成膜时的热量。

  固体前驱材料与液。体前驱材&#;料形成鲜明对比。有机金属错合物主要是室温下的固体,但成功开发的钌。前驱动熔点。在室温下相当低。

  通常情况下,为了。促进前驱热分解,形成纯金属薄膜,使用氧气等反应促进剂(反应气体、)。。高反应气体容易形成金属模&#;具,但会对基板氧化产生、负面影响。因此,最重要的是使用氢对基板造成的损害较小,但缺点是氢对金属薄膜的反应较低。钌材料的成功开发也可以在氢环境中形成纯金属薄;膜的。钌驱动&#;器。

  由于记忆组件的尺寸,越来越小,在电极中使用的金属薄膜也需。要更高的&#;光滑度。不均匀的,粗膜不仅会导致电气特性的不均匀;性,而且还&#;会导致短路(运行)和断路。钌膜的厚度小于1.1nm,由AFM测量的RMS值和胶片厚度低于12nm的值。

  Mocvd被指定为前驱分解物(有机成分),并与金属薄膜混合,以免对薄膜造。成污染。成功的钌体材料对!薄膜的污染较小,可形成纯钌薄膜(已由XPS测量和确认)&#;。

  钌Transactions是皇家化学研究所发行的学术杂志。在未来,该领&#;域的贵金属工业将继续努力改善钌前驱动的技术、,以在更高的深度和宽&#;度的电极细孔上、涂膜。

  集团业务内容:制造、销,售、进口和出口贵金属(白金、银和其他)以及各种工业&#;贵金属,产品。贵金属的回收和;回,收。

  业务内容:;制造、销售、进口和出口贵金属;(白金、!银和其他)以及各种工业贵金属产品。贵金属的回收和回收。

  自1幸运时时彩885年(明治1、8)成立以来,田中贵金属集团一直以贵金属为中心,开展广泛的活动。2010年4月!1日,TanakaHoldingsCo.Lt,d!.以集团母公司的&#;形式完成了集团组织的重组。同时,通。过有效的快速管理和流动性业务,加强内部控制系统,为客户提供更好的服务。而与贵金属相关的专家组则与公司,合作,提。供各种产品和服务。

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